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Intel工藝升級,進入埃米時代。新cpu熱設(shè)計功耗僅5W,適合工控計算機使用


【發(fā)布時間:2021-07-12】

  Intel今天公布了全新的工藝路線圖,10nm Enhaned SuperFine、7nm分別改名為Intel 7、Intel 4(奇怪的寫法需要適應(yīng)適應(yīng)),分別用于年底的Alder Lake 12代酷睿/明年的Raptor Lake 13代酷睿、后年的Meteor Lake 14代酷睿。

  再往后則是Intel 3,以及全新晶體管架構(gòu)的Intel 20A、Intel 18A。

  Meteor Lake此前官方也披露過,計算模塊(Compute Tile/Compute Die)也就是CPU內(nèi)核部分今年第二季度完成流片,首次在桌面采用Foveros混合封裝。

  按照Intel披露的最新信息,F(xiàn)overos將具備晶圓級的封裝能力,史上第一次提供3D堆疊解決方案,不同IP模塊可以使用不同工藝,封裝凸點間距(bump pitch) 36-50微米。

  Meteor Lake上用的Foveros封裝技術(shù)已經(jīng)是第二代,之前首發(fā)的是Lakefield,也是大小核混合架構(gòu)的嘗鮮之作。

  Intel 4工藝Meteor Lake自曝:熱設(shè)計功耗最低5W

  根據(jù)最新公布的示意圖,Meteor Lake主要有三個部分封裝在一起,一是計算模塊,二是GPU模塊,多達96-192個計算單元,三是SoC-LP,應(yīng)該是包含內(nèi)存控制器、PCIe控制器等輸入輸出部分,類似AMD銳龍/霄龍里的IO Die。

  另外,Meteor Lake的熱設(shè)計功耗范圍是最低5W、最高125W,這也和當下的產(chǎn)品線保持基本一致,Alder Lake 12代酷睿在移動端最低就可以做到5W,而這在以往都是Atom低功耗架構(gòu)才能達成的。

  Intel 4工藝Meteor Lake自曝:熱設(shè)計功耗最低5W

  PS:Intel Xe HPC高性能計算架構(gòu)的Ponte Vecchio計算卡,也會使用第二代Foveros封裝,同時還有EMIB封裝,首次綜合使用。

  Intel 4工藝Meteor Lake自曝:熱設(shè)計功耗最低5W。

  10年前的2011年,Intel首發(fā)了FinFET工藝,22nm FinFET工藝當時遠超臺積電、三星的28nm,技術(shù)優(yōu)勢領(lǐng)先友商至少三年半(Intel之前的官方表態(tài)),然而14nm節(jié)點之后,Intel落伍了。

  從2014年到2021年,Intel的主流CPU工藝都是14nm,打磨出了14nm、14nm+及14nm++三代工藝,創(chuàng)造了8核5GHz處理器的神話,性能還是很強大的。

  然而這10年中臺積電抓住了移動處理器的機會,工藝一路升級到了現(xiàn)在的7nm、5nm,哪怕被認為技術(shù)水平有水分,但臺積電已然成為芯片制造的王者。

  如果大家了解了這個背景,那么Intel今天公布的新一代CPU工藝路線圖就更好理解了,3月份上任的新CEO基辛格是有著30多年經(jīng)驗的Intel老將,見證了Intel工藝最輝煌的時代,現(xiàn)在他要重整旗鼓。

  當然,這次的改革有一點讓網(wǎng)友感覺驚訝的地方,那就是Intel真的如之前網(wǎng)友調(diào)侃的段子那樣,上來就玩了一把給工藝改名的游戲——年底的10nm ESF工藝改名為Intel 7,計劃中的7nm改名為Intel 4,未來還會繼續(xù)推出Intel 3工藝,這次的改名直接讓Intel跟臺積電站到同一起跑線上了,畢竟臺積電2023年量產(chǎn)的也是3nm工藝,同樣也是最后一代FinFET工藝。

  Intel這次推出的工藝不僅僅是改名那么簡單,有一件事非常值得關(guān)注,那就是Intel要率先從納米時代進入埃米時代(?ngstrom,1納米等于10埃米),這就是Intel預(yù)計2024年推出的Intel 20A工藝,其中的A就指的是埃米。

  到了埃米時代,20A工藝有兩大革命性新技術(shù),RibbonFET及PowerVia,前者就是類似三星的GAA環(huán)繞柵極晶體管,PoerVia則首創(chuàng)取消晶圓前側(cè)的供電走線,改用后置供電,也可以優(yōu)化信號傳輸。

  現(xiàn)在20A工藝的具體細節(jié)還沒公布,但從字面意義上來看,20A差不多是2nm工藝的水平,倒也符合3nm之后的摩爾定律進步。

  20A工藝之后還有18A工藝,除了繼續(xù)改進RibbonFET及PowerVia技術(shù)之外,Intel預(yù)計還會首發(fā)NA 0.55的下一代EUV光刻機。

  如果用一句話解釋Intel的目標,那就是CEO基辛格日前在媒體采訪中的表態(tài)——在2024年到2025年間,Intel將重返半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)先地位,沒明說的言外之意就是要超越三星、太臺積電,同時確保美國在半導(dǎo)體技術(shù)上的地位無可動搖。